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功率半導體最早出現在1950年代，1956年美國貝爾實驗室發明了晶閘管，并在60年代得到廣泛應用；1980年后逐漸發展出功率各種新型晶閘管，單極性MOSFET，雙極性MOSFET；90年代研發出IGBT，此后逐步出現功率模塊和集成功率器件。
目前功率器件主要以 Si （硅）基材料為主，包括 SOI 高壓集成電路，隨著第三代半導體的發展，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料開始成為功率半導體的新興材料。
GSM300M17BM2
